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DMN4060SVT
4.0
20
3.5
16
3.0
I D = 1mA
2.5
12
2.0
1.5
I D = 250μA
8
T A = 25°C
1.0
4
0.5
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 10 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
Fig. 11 Diode Forward Voltage vs. Current
1,000
T A = 150°C
C iss
T A = 125°C
100
T A = 85°C
C oss
10
T A = -55°C
T A = 25°C
f = 1MHz
C rss
1
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
5 10 15 20 25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
V DS = 30V
I D = 4.3 A
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Typical Junction Capacitance
0
5 10 15 20
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 14 Gate Charge
25
DMN4060SVT
Document number: DS35702 Rev. 2 - 2
5 of 7
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
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